http://ir-heat-fire.com/ms/tags/membakar/ Recent content in Membakar on Intense Infrared Heating Lamps Hugo ms Sat, 20 Jun 2026 05:22:05 +0800 http://ir-heat-fire.com/ms/posts/photoresist-baking-lamp/ Sat, 20 Jun 2026 05:22:05 +0800 http://ir-heat-fire.com/ms/posts/photoresist-baking-lamp/ <p><img src="http://ir-heat-fire.com/images/eeeb9669114c0c0a0b2bef3f902d01a9.png" alt="Lampu pembakaran photoresist"></p> <p>Di fasiliti litografi, kita akan mempelajari dengan cepat bahawa perubahan suhu sebanyak setengah darjah sahaja pun boleh menyebabkan kawalan dimensi yang tepat menjadi tidak terkawal. Lampu yang digunakan untuk proses pemanasan ini bukan sekadar alat pemanas semata-mata; ia merupakan alat yang membantu mengekalkan ketepatan proses <a href="https://o-yate.com">pengeluaran</a> semikonduktor. Kami mencipta lampu ini untuk memenuhi keperluan ketepatan yang sangat tinggi dalam pengeluaran semikonduktor, di mana setiap wafer perlu mengalami proses pemanasan yang sama setiap kali.</p> <p><strong>Apa yang penting dari segi teknikalnya</strong><br> Kita perlu mencapai keseragaman suhu pada tahap wafer sekitar ±0.1°C di seluruh permukaan yang dipanaskan. Ini dicapai menggunakan gelombang inframerah pendek bersama pemancar jenis kuarsa-halogen yang mampu memberikan respons yang cepat dan konsisten. Keseragaman suhu antara setiap kali proses berlaku kekal dalam lingkungan ±0.2°C, supaya profil pemanasan tetap stabil. Sistem ini berfungsi dengan baik dalam persekitaran kelas 1–100, tanpa menghasilkan sebarang zarah yang boleh menyebabkan kecacatan pada wafer. Penggunaan tenaga juga dikawal dengan teliti, dan pemancar tersebut dapat bertahan lebih dari 5,000 jam.</p> http://ir-heat-fire.com/ms/posts/e-beam-resist-baking-heater/ Tue, 02 Jun 2026 05:48:19 +0800 http://ir-heat-fire.com/ms/posts/e-beam-resist-baking-heater/ <p><img src="http://ir-heat-fire.com/images/016cf4f616aaa15e4af48856b8adc51b.png" alt="Pemanas pembakar e beam resist"></p> <p>Pada tingkat litografi, proses bakar resist E-beam <a href="https://henruite.com">bukan</a> sekadar pemanasan awal. Ia adalah peristiwa terma yang menetapkan kawalan dimensi kritikal. Peralihan suhu sebanyak 2°C merentasi wafer boleh menggeser ciri-ciri sebanyak nanometer, dan nanometer adalah perbezaan antara hasil yang baik dengan sisa. Kami membina pemanas bakar resist E-beam berdasarkan realiti tersebut: mengekalkan kestabilan, kebersihan, dan kebolehulangan peristiwa terma.</p> <p><strong>Apa yang penting, secara teknikal</strong></p> <p>Kami mengekalkan keseragaman suhu pada tahap wafer dalam ±0.1°C merentasi permukaan resist. Pendedahan E-beam sensitif terhadap kecerunan suhu tempatan, dan kecerunan tersebut mengganggu pemindahan dos ke ciri. Pemanas menggunakan elemen inframerah gelombang pendek, dengan zon pemanasan yang disalut kuarza untuk mengurangkan penghasilan zarah — selaras dengan proses dalam persekitaran bilik bersih Kelas 1–100.</p>